Из истории изучения квантового выхода светоизлучающих диодов

В конце прошлого столетия появились светодиодные светильники с полной цветовой гаммой, после того, как удалось получить светоизлучающие диоды в диапазоне синего и зелёного цвета.

Эти светильники использовали диоды на основе композиции гетероструктур активной квантово-размерной области InGaN, AlGaInP и AlGaAs.

И только когда разработки позволили поднять эффективность преобразования электрической энергии в энергию оптическую до 10%, а коэффициент полезной светоотдачи достиг от 10 до 20 люменов на один ватт мощности, светодиодные светильники стали конкурентноспособными.А дальнейшие разработки стали вытеснять лампы накаливания и флуоресцентные лампы. Параллельно интенсивно развивалась промышленность светодиодных светильников и различных приборов на их основе. Именно тогда появились первые дорожные светофоры и железнодорожные семафоры на основе светоизлучающих диодов. Впрочем, некий порог применения светодиодов именно InGaN структур стал появляться при повышении максимальной мощности световых приборов.

Квантовый выход во внешнем значении достиг рекордных значений 18% для синего цвета, при λ= 470 нанометров и 20% соответственно для зелёного цвета при λ= 510нм, при этом InGaN — светоизлучающий диод с одиночной квантовой ямой. Подобные показатели считаются весьма высокими в спонтанно — инжекционных излучателях, хоть их реализация и происходила при очень малых токах.

Всем инженерам, которые занимаются разработкой полупроводниковых излучателей большой мощности, известно, что очень важно постоянство высоких значений квантового выхода. Причем в достаточно широком диапазоне уровней возбуждения. Такие значения могут зависеть от механизма рекомбинации излучения в активной области или конструктивными особенностями приборов.

Весьма важна эффективность своевременного отвода тепловых нагрузок и минимизация джоуль-потерь. А также условия равномерного растекания токов и геометрия размещения контактов.

Для традиционных светодиодов гетероструктур AlGaAs все вопросы оптимизации лабораторных и серийных излучателей для получения различных желаемых выходных параметров в максимальных пределах — достаточно изучены и структурированы. Теперь учёные работают над расчётом зависимости внешних квантовых выходов при токах в импульсном и непрерывном режиме работы для синего InGaN светоизлучающего диода.

На заметку: задвижки Хавле Москва поставляет компания OOO «Ингазтех».  Они монтируются  без сооружения колодцев что позволяет существенно снизить расходы на проектирование, монтаж и на все строительство в целом. Использования такого способа монтажа позволяет значительно ускорить темпы работ. Обслуживание задвижки производится один раз в год.